该方案采用第三代宽带隙半导体器件氮化镓代替传统的IGBT作为电机控制器的功率单元

应用:GaN电机控制器

应用领域:动力系统电气化

创新和优势

技术描述:

该方案采用第三代宽带隙半导体器件氮化镓代替传统的IGBT作为电机控制器的功率单元部分电源为CCPAK顶部带散热封装的GaN器件，采用四个并联器件的方案最大工作电压可达420VDC，最大输出功率为35kW

独特优势:

1.GaN的开关速度非常快，是传统IGBT的10倍以上得益于GaN器件极快的开关速度，其开关损耗远小于IGBT，约占总损耗的1/10

2.与传统的IGBT方案相比，在相同的试验条件下，GaN控制器的效率明显提高，最高可达99.34%，尤其是在额定工况下，整车的NEDC续航能力将得到明显提高。

实测效率与IGBT控制器效率图GaN控制器效率图

3.该方案采用硅基氮化镓器件与SiC器件相比，其制造工艺相对简单，原材料和制造设备可以借用传统Si的产能，因此具有较好的成本优势，更有利于商业推广

应用场景:

电动车辆动力总成单元，各种功率转换器

未来:

伴随着电动汽车电机控制器对高效率和高功率密度的需求日益增加，宽禁带半导体器件的开发和应用成为焦点其中，GaN器件高频，高效的特性可以很好地满足实际应用的需求，相信GaN器件在未来的电动汽车动力总成应用领域也能占据一席之地

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