阐述了SiC功率半导体产业的机遇和产业链协同

加快第三代半导体技术应用，促进大中小企业金融发展日前，由北京国联万中半导体技术有限公司主办的主题为SiC功率半导体产业高峰论坛线上线下同时举行论坛由国家第三代半导体技术创新中心，第三代半导体产业技术创新战略联盟，北京智创华科半导体研究院有限公司，国际第三代半导体中联空间协办由北京新材料与新能源技术发展中心，北京市顺义区科学技术委员会，北京市顺义区经济和信息化局，中关村科技园区顺义园区管委会联合指导，受到行业专家和产业链上下游企业的一致好评

西安电子科技大学微电子研究院副院长，国家工程中心主任，电子科技大学教授/博士生导师，中国科学院微电子研究所博士许，株州CRRC时代电气股份有限公司CRRC科学家，教授级高工国家重点实验室常务副主任刘，中国电子科技集团公司第四十八研究所高级工程师/专家，北京田可何达半导体有限公司董事，常务副总经理/博士彭同华，北京晶格半导体有限公司总经理，第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵，北京国联万中半导体技术有限公司市场总监王，北京智慧能源研究院功率半导体研究所副总工程师费阳， 郭顶资本投资总监吴一伟，深国投德勤投资管理有限公司投资总监黄慧峰，北京吉果科航第三代半导体测试技术有限公司副总经理李雁鸣等13位行业专家齐聚一堂，共同探讨如何加快第三代半导体产业向高端化，企业品牌化，应用泛在化，区域协同化发展，为大中型企业健康发展提供强劲引擎，促进中国

北京市顺义区经信局副局长张峥在致辞中表示，顺义区将第三代半导体产业发展作为顺义三大主导发展产业之一，将继续大力支持第三代半导体产业集群化发展，形成第三代半导体产业全产业链格局同时，他在顺义区宣讲了第三代半导体产业的一些优惠政策，为R&D的企业解决了生产，配套公共设施，市场营销等关键问题

西安电子科技大学微电子研究院副院长，国家工程中心主任马晓华在报告中指出，氧化镓是最近几年来半导体材料创新中可以实际应用的代表性材料兼具创新和产业应用优势，提前布局超宽带隙半导体相关基础研究，从技术跟进逐步过渡到技术创新，由于缺乏有效的P型掺杂，提高Ga2O3器件的击穿特性会牺牲器件的整体电阻和效率，实现有竞争力的应用还需要一段时间目前国内工业化投资过热，未来市场预期有限，目前技术成熟度有限同时，市场上也没有迫切的产业化需求

电子科技大学的邓小川教授就SiC功率器件的特点，优势和可靠性做了详细的报告报告指出，SiC功率器件在全球面临的技术难度正在逐渐降低伴随着大尺寸SiC晶片的发展，价格不会成为瓶颈伴随着混合动力汽车，电动汽车，智能电网等节能减排产业的大力牵引，SiC功率器件逐渐普及

中科院微电子所许博士在报告中提到了以碳中和，二氧化碳峰值排放为代表的国家重要战略要求，提出了应用牵引下SiC超结MOS器件在超低损耗，高可靠性新能源汽车领域的重要性针对行业的薄弱环节，引进该领域先进的核心制备技术十分必要和迫切围绕SiC超结MOS器件的理论构建，仿真设计，超结制备和工艺集成，基于SiC MOSFET开展超结MOS器件的技术创新，明确了超结外延制备的技术路线，为我国新能源汽车产业和双碳战略提供了关键技术支撑

中国电子科技集团公司第四十八研究所研究员级高级工程师/高级专家周红标在报告中指出，伴随着第三代半导体产业的快速发展和自主可控产业的迫切需求，国产设备增长空间巨大，中国电科院48所围绕SiC全链条，专注于核心设备的研发，验证，推广和应用，持续迭代改进以SiC单晶生长，高温高能离子注入，高温氧化/活化为代表的一系列设备已小批量应用，加强工艺集成和产业合作，进一步推动第三代半导体国产设备的跨越式发展

株州时代电气股份有限公司常务副总经理，教授级高级工程师刘表示，SiC MOSFET已经成为高压功率器件的解决方案，越来越多的企业参与其中高压SiC MOSFET的材料，工艺和技术取得了很大的进步并逐渐成熟，3300V及以上电压等级的芯片和模块已逐步实现商业化高压SiC MOSFET应用于轨道交通领域，推动绿色智能技术发展，在智能电网，飞机，船舶电力驱动等方面也有很好的应用前景高压SiC材料，工艺，封装全产业链协同，重点攻关质量，成本，可靠性，推动高压SiC技术创新和规模化应用

北京田可何达半导体有限公司董事，常务副总经理/博士彭同华在报告中指出，从产业链的角度来看，碳化硅衬底处于产业链的上游，支撑着整个行业的发展综合性价比和发展趋势考虑，未来几年6寸仍将是主流，2025年，8英寸的需求将开始增加

北京格田半导体有限公司张泽胜总经理就液相法生长大尺寸硅单晶碳做了详细的报告，并提到液相法是一种很有前途的制备高质量硅酸盐晶体的方法，低温溶液生长法在生长过程中具有更好的可控性和稳定性，提高了成品率据估计，液相法可有效降低原子衬底晶圆成本30%以上

半导体产业第三代技术创新战略联盟副秘书长赵指出，在建立协同创新的产业体系和生态愿景方面，需要建立目标明确，权责清晰，任务系统化的产学研创新联合体，加快迭代研发，打通产业链，推动整个产业达到国际先进水平搭建开放，高水平的专业平台，加强基础材料，设计，技术，装备，封装测试，标准等国家系统性能力建设探索构建科技金融网络链，下游反哺上游带动社会资本的方式，探索平台+孵化器+基金+基地与大中小企业金融发展的新型合作模式加强精准国际和区域合作，推进政府间合作框架下的项目合作和平台建设，开展常态化海外项目输送和技术转移

北京国联半导体技术有限公司市场总监王在报告中谈到了碳化硅电力电子器件需求和技术挑战的三个共同目标，更好地保护栅极，提高栅氧化层的可靠性，提高器件电流密度，减小芯片面积，降低成本，提高SiC MOSFET性能同时指出，SiC器件已经具备在新能源汽车上大规模应用的条件

北京智慧能源研究院功率半导体研究所副总工程师费阳就高压大功率碳化硅器件基础理论研究及其应用和高压大功率碳化硅MODFET及其在电力电子变压器中的示范应用两大项目课题做了详细报告传统电网正在向以电力电子技术广泛应用为代表的智能电网发展，迫切需要提高器件的耐压，通流能力和开关速度，降低损耗电力电子变压器是未来智能电网的核心设备之一目前，基于硅器件的电力电子变压器体积大，损耗高，重量重，无法推广应用碳化硅器件具有电压等级高，电流能力强，频率高，损耗低等优点，可以大大减小设备的体积和重量，降低损耗碳化硅器件将是电力电子变压器的功率器件，高压大功率碳化硅材料和器件的实际应用将决定电力电子变压器的未来发展

丁资本投资总监吴一伟在报告中提到了如何在最前沿的碳化硅产业链中找到精准的市场投资首先要寻找碳化硅产业链中的成本中心，也就是有定价权的衬底设计端和MOS也是未来关注的重点从产业链的详细分工来看，外延片和模块是核心关注点SiC行业是技术驱动型投资，具有长期投资价值

深圳中投德勤投资管理有限公司投资总监黄慧峰在报告中表示，由于新能源汽车和储能的大规模商用，对功率密度和效率的需求增加在全球碳中和，二氧化碳排放峰值的背景下，SiC将成为主流趋势，或者SiC，欧美日国际厂商英飞凌，罗门，科锐，ST等公司的技术和份额，国内SiC厂商发展迅速，国产化后外延和衬底价格还在下降国内竞争对手众多，需要考虑整合资源协同发展，部分产品可以替代Si方案，但目前的难点是难以驱动，需要方案级替代，GaN技术可以在一定程度上替代SiC和Si的部分市场，这需要技术创新和成本领先

北京吉果科航第三代半导体测试技术有限公司副总经理李雁鸣在报告中指出，充分利用顺义区相关扶持政策，为碳化硅电力电子器件等企业提供优质的第三代半导体测试服务，不仅有助于完善顺义区第三代半导体产业链，还将起到示范引领作用，为顺义区打造第三代半导体集聚区奠定良好基础。

论坛同时举行线上圆桌沟通会出席嘉宾有北京新材料与新能源技术发展中心副主任，第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵，中科院微电子所博士许，北京智慧能源研究院功率半导体研究所副总工程师，中电科48家研究所高级工程师/专家，郭顶资本投资总监吴一伟专家们从各自领域深入探讨了如何通过全要素协同创新和系统化发展推动SiC产业快速发展和中国SiC领域未来发展两个方向，阐述了SiC功率半导体产业的机遇和产业链协同基于中国在SiC领域的长期技术积累及其完整的产业链和庞大的应用市场，SiC产业必将在不久的将来支撑中国的二氧化碳排放峰值和碳中和战略，引领中国

本次活动旨在推动第三代半导体产业与UHV，城际高铁，城际轨道交通，新能源汽车充电桩等领域的融合创新，促进创新产品开发，创新企业培育，创新产业发展，加快第三代半导体顶尖人才在北京顺义的集聚，促进优质企业集群发展，为加快构建以第三代半导体为核心的高精尖经济结构提供有力支撑。