所谓的第二代3nm工艺N3E的SRAM单元面积为0.021平方微米与N5工艺无异

2022年本该是半导体技术转向3nm量产的一年可是，TSMC今年保持低调三星在6月率先采用了3nm技术，抢走了名义上的3nm发布会TSMC之前提到的9月量产早就作废了，官方承诺是年底

伴随着2022年剩下最后几天，TSMC终于兑现了承诺最近几天，该公司发出邀请函，下周将在柯南举行量产和工厂扩建仪式，届时3nm工艺将正式量产

在这个时间点上，宣布量产2022年的3nm产量可以忽略不计，但TSMC今年会兑现量产3nm的承诺2023年才会有真正的产品量

TSMC之前已经宣布了至少五种3纳米工艺，目前还不清楚N3或N3E是否会量产前者之前有报道称已经放弃，因为成本太高，苹果也不用，导致没有客户量产是没有意义的

据TSMC介绍，与N5工艺相比，N3功耗可降低约25—30%，性能可提高10—15%，晶体管密度可提高约70%。

可是，N3过程的实际表现并不一定那么好不久前，在IEDM 2022大会上，TSMC公布了SRAM的真实密度为3nm，性能十分堪忧

工艺3的SRAM单元面积为0.0199平方微米，只比工艺N5的0.021平方微米小5%！

更糟糕的是，所谓的第二代3nm工艺N3E的SRAM单元面积为0.021平方微米，与N5工艺无异。

伴随着TSMC牙膏的推广，英特尔有机会迎头赶上虽然3纳米SRAM的密度远高于英特尔的10纳米ESF，但与英特尔的7纳米EUV工艺几乎相同

TSMC的晶体管密度在下一代2nm工艺中增加较少，官方数据仅为10%—20%解释很容易被英特尔的20A和18A工艺超越