台积电日本合资工厂将增加12/16nm工艺投资增至86亿美元

，据国外媒体报道，原计划建成之后采用22/28nm工艺为相关客户代工晶圆的台积电日本合资工厂，将增加12/16nm工艺，工厂的投资也将会有增加。

而在去年11月9日宣布在日本设立合资公司并建厂时，台积电方面是预计全部资本支出约为70亿美元，直接创造1500个高技术专业岗位。对比5nm，三星新的3nmGAA可以让面积缩小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。

台积电在日本设立合资公司并建设晶圆厂，是在去年的11月9日正式宣布的，合资公司名为日本先进半导体制造公司，设在熊本县，与索尼半导体解决方案公司合资设立，索尼方面计划投资约5亿美元，获得不超过20%的股份。。