没有足够好的空穴迁移率这些都是制约半导体性能的重要因素

立方砷化硼，氧化镓等新型半导体制造材料正在进入投资者的视线日前，上交所，深交所互动平台分别以立方砷化硼，氧化镓为关键词搜索问答记录，记者分别得到8条和65条结果，均与公司经营范围相关

上月底，来自麻省理工大学休斯敦分校等机构的科学家宣布，他们发现了立方砷化硼，这是迄今为止所能发现的最好的半导体材料然后，网上出现了一个关于砷化硼概念股的问答

砷化硼概念股的上市公司名单也在网上流传，包括聚灿光电，金钟黄金，湖南黄金，三安光电，赣兆光电，金贵银业，郑凡科技等公司，并试图将其与立方砷化硼概念联系起来。

第一财经记者梳理后发现，剔除湖南黄金，金贵银等从事贵金属开采，冶炼，化学合成的企业后，其余光电公司与砷化硼或立方砷化硼关系不大。

目前，乾照光电股份，盐湖股份，四方达股份等多家上市公司已在开放平台回复投资者和顾问，称不生产立方砷化硼相关材料最接近的是，三超新材8月1日在互动平台表示，公司没有立方氮化硼业务，公司部分砂轮使用立方氮化硼作为原料

什么是立方砷化硼。

目前，硅片仍然是市场上应用最广泛的半导体材料SEMI数据显示，半导体材料领域硅片市场份额占32.9%，排名第一

不擅长导热，没有足够好的空穴迁移率，这些都是制约半导体性能的最重要因素。

科学界认为，立方砷化硼理论上比硅具有更好的导热性和更高的双极迁移率7月，美国国家纳米科学中心研究员刘新峰和休斯顿大学的研究团队在《科学》杂志上发表了一篇论文首次发现半导体砷化硼中电子和空穴的约化迁移率为1550 cm2/vs，通过查阅论文，记者了解到目前芯片中使用的应变硅电子的空穴约化迁移率只能达到830 cm2/vs

据国家纳米科学中心副研究员岳帅介绍，空穴迁移率的降低决定了半导体材料的逻辑运算速度机动性越高，运算速度越快

另外，在热导率方面，铜的热导率为400W/mK，而已经广泛应用于芯片制造的碳化硅的热导率为500 W/MK，根据刘新峰的介绍，学术界预测砷化硼的热导率可以和金刚石相媲美，达到2000 W/MK。

但据麻省理工学院称，立方砷化硼目前还不能量产对于这种物质，研究人员还需要特殊的设备来研究其特性

第四代半导体材料引人关注。

当然，立方砷化硼并不是唯一触动市场神经的新材料。

美国时间8月12日，美国商务部工业与安全局在《联邦公报》上披露了一项新的出口限制临时最终规则，该规则限制了以钻石和氧化镓为代表的超宽带隙半导体材料和其他产品的出口随后，网络上频繁出现关于第四代半导体材料的讨论

目前半导体材料从能带角度通常可以分为三代:第一代半导体材料以硅，锗等元素半导体材料为代表，第二代以砷化镓，磷化铟为代表，第三代是指三族氮化物，氮化铝等)，碳化硅(SiC)，氧化物半导体(如氧化锌(ZnO)，氧化镓(Ga2O3)，钙钛矿(CaTiO3)等)和钻石等目前网上炒作的所谓第四代半导体材料就是美国最近限制出口的钻石和氧化镓

市场上，8月15日，氧化镓概念股在新湖宝开盘一字涨停，换手率达112万截至17日收盘，新湖宝股价为2.8元，较8月9日开盘价2.56元上涨约9.3%

根据消息显示，这家公司持有杭州付嘉镓业科技有限公司22%的股权，付嘉镓业依托中科院上海光机所研究一种新型半导体材料——氧化镓目前的信息表明，基于β氧化镓的晶体制备及其功率器件的研制取得了一定的进展此外，公司还参股上海钻石交易所，持股比例为5%

此外，钻石概念股晶盛机电8月15日开盘时一度涨停，最大涨幅12.38%，最新总市值995.26亿元截至8月17日收盘，晶盛机电股价为76.1元，较9日开盘价70元上涨约8.7%该公司在今年3月初表示，其全自动钻石生长炉研发成功

根据消息显示，氧化镓原创的发展可以追溯到2012年，第一个单晶β—氧化镓晶体管由日本国家信息通信技术研究所发表2014年，氧化镓材料迎来量产

目前，我国对氧化镓的研究主要集中在科研领域今年，中国科技部将氧化镓列入R&D市十四五重点规划，使得这种物质得到了更广泛的关注在产业化方面，目前我国刚刚起步，北京镓集团科技，杭州付嘉镓业，北京明家半导体，深圳进化半导体CLP 46等企业纷纷涌入氧化镓基础材料领域

此外，新湖宝藏，三安光电，小蓝科技，中国西电，上海韩勋，隆基绿色能源，南大光电等也在布局金属镓提取，氧化镓晶体生长，宽带隙半导体等产业相关的上下游领域